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全球半導(dǎo)體存儲器行業(yè)市場規(guī)模、技術(shù)演進(jìn)及企業(yè)競爭態(tài)勢

1、半導(dǎo)體存儲器概況

半導(dǎo)體存儲器作為數(shù)字信息的核心載體，是集成電路產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵分支。該類器件通過磁性材料或半導(dǎo)體等介質(zhì)實現(xiàn)信息存儲，其存儲與讀取機(jī)制本質(zhì)上是電荷的存儲與釋放過程。作為電子系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲與運算的基礎(chǔ)載體，半導(dǎo)體存儲器是應(yīng)用范圍最廣、市場份額占比最高的集成電路基礎(chǔ)產(chǎn)品之一。

根據(jù)斷電后數(shù)據(jù)保持能力的差異，半導(dǎo)體存儲器可分為易失性存儲器與非易失性存儲器兩大類別，具體分類如下：

半導(dǎo)體存儲器分類

資料來源：普華有策

易失性存儲器又可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）；非易失性存儲器主要包括快閃存儲器（Flash）、掩膜型只讀存儲器（MROM）和可編程只讀存儲器（PROM/EPROM/EEPROM）?？扉W存儲器（Flash）的主流產(chǎn)品為NANDFlash和NORFlash。DRAM與NANDFlash在半導(dǎo)體存儲占據(jù)主導(dǎo)地位。

2、半導(dǎo)體存儲器行業(yè)市場規(guī)模分析

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）數(shù)據(jù)顯示，2024年全球半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)強(qiáng)勁復(fù)蘇態(tài)勢，市場規(guī)模達(dá)到6,269億美元。其中，半導(dǎo)體存儲器細(xì)分領(lǐng)域表現(xiàn)突出，市場規(guī)模達(dá)1,671億美元，占全球半導(dǎo)體市場總規(guī)模的26.65%。市場研究顯示，該增長態(tài)勢預(yù)計將在2025年持續(xù)，半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模有望攀升至1,894億美元，屆時其占全球半導(dǎo)體市場的比重將進(jìn)一步提升至27.17%。

2020-2024年全球半導(dǎo)體及半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模

資料來源：普華有策

3、半導(dǎo)體存儲器行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢

半導(dǎo)體存儲器行業(yè)的技術(shù)迭代呈現(xiàn)出多路徑并行的特點，先進(jìn)制程研發(fā)與新型架構(gòu)創(chuàng)新成為兩大核心方向。在DRAM領(lǐng)域，制程節(jié)點持續(xù)突破，SK海力士的第六代10納米級(1cnm)DRAM工藝良率已提升至約80%，滿足大規(guī)模量產(chǎn)條件，該工藝將應(yīng)用于DDR5、LPDDR6、GDDR7等產(chǎn)品。美光則率先出貨1γ(1-gamma)第六代DRAM節(jié)點產(chǎn)品，其16GbDDR5芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)9200MT/s，較前代提升15%，功耗降低超過20%，并已應(yīng)用于EUV光刻技術(shù)。

與之形成對比的是三星在先進(jìn)DRAM制程上的延遲，其1cnmDRAM良率提升未達(dá)預(yù)期，導(dǎo)致量產(chǎn)計劃推遲至2025年底，這使得三星在HBM4等高端產(chǎn)品的布局受到一定影響。這種技術(shù)進(jìn)度的差異正在重塑市場競爭格局，尤其在AI服務(wù)器所需的高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域更為明顯。

NAND閃存技術(shù)沿著"更高堆疊、更小顆粒"的路徑演進(jìn)，3D堆疊層數(shù)從100層向200層乃至300層突破。鎧俠和西部數(shù)據(jù)計劃2025年量產(chǎn)300層以上產(chǎn)品，三星則在下一代(V10)閃存芯片中計劃實現(xiàn)420-430層堆疊，并通過獲得長江存儲的"混合鍵合"專利授權(quán)提升封裝技術(shù)。長江存儲已實現(xiàn)128層3DNAND穩(wěn)定量產(chǎn)，良率提升至80%以上，192層產(chǎn)品進(jìn)入試產(chǎn)階段，與國際領(lǐng)先水平的差距縮小至1-2年。

新興存儲技術(shù)在2024年取得顯著進(jìn)展，其中阻變存儲器(ReRAM)商業(yè)化提速最為明顯。臺積電推出22納米嵌入式ReRAM產(chǎn)品，應(yīng)用于低功耗無線物聯(lián)網(wǎng)解決方案；國內(nèi)廠商維信諾完成世界首顆采用嵌入式ReRAM技術(shù)的AMOLED顯示驅(qū)動芯片開發(fā)，昕原半導(dǎo)體的ReRAM安全存儲產(chǎn)品已在工業(yè)自動化控制領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商用量產(chǎn)。ReRAM憑借高速度、耐久性強(qiáng)和多位存儲能力等優(yōu)勢，在智能汽車、邊緣AI等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊應(yīng)用前景。

磁性存儲器(MRAM)方面，力積電與日本PowerSpin合作推進(jìn)MRAM量產(chǎn)，計劃2029年實現(xiàn)量產(chǎn)；臺積電則持續(xù)研發(fā)STT-MRAM解決方案，其16/12納米工藝產(chǎn)品線已獲得車用市場訂單。這些新興技術(shù)雖然短期內(nèi)難以撼動DRAM和NAND的主導(dǎo)地位，但在特定應(yīng)用場景中正逐步實現(xiàn)替代，推動存儲器市場向多元化方向發(fā)展。

4、市場格局與競爭態(tài)勢

全球半導(dǎo)體存儲器市場呈高度寡頭壟斷格局，DRAM領(lǐng)域三星、SK海力士、美光占近95%份額，2024年三星以11.8%全球半導(dǎo)體市占率居首，另兩家分別以7.7%、4.8%緊隨，均受益于AI相關(guān)需求；NAND閃存市場三星等五家企業(yè)占超90%，2024年一季度三星以33%領(lǐng)先，長江存儲以6%銷售額占比躋身，按容量算達(dá)13%，性價比優(yōu)勢凸顯；HBM市場集中度更高，三星、SK海力士占超90%，2024-2025年產(chǎn)能售罄，2025年HBM3e將成主流，售價為傳統(tǒng)DRAM的3-5倍。

中國企業(yè)正打破市場平衡，長鑫存儲實現(xiàn)19nmDRAM量產(chǎn)、研發(fā)17nm，計劃2025年將全球份額提至10%，2024年底量產(chǎn)HBM2并規(guī)劃2026年推HBM3，通富微電加速HBM封裝布局。競爭策略分化明顯，頭部企業(yè)縮減DDR4等傳統(tǒng)產(chǎn)能、擴(kuò)產(chǎn)DDR5及HBM，三星還出售西安NAND舊設(shè)備；中國企業(yè)則聚焦成熟制程規(guī)?；a(chǎn)，形成差異化競爭。

行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)有長鑫存儲、長江存儲、通富微電、三星電子、SK海力士（SKHynix）等企業(yè)。

行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)情況

資料來源：普華有策

《“十五五”半導(dǎo)體存儲器行業(yè)細(xì)分市場調(diào)研及投資戰(zhàn)略規(guī)劃報告》涵蓋行業(yè)全球及中國發(fā)展概況、供需數(shù)據(jù)、市場規(guī)模，產(chǎn)業(yè)政策/規(guī)劃、相關(guān)技術(shù)、競爭格局、上游原料情況、下游主要應(yīng)用市場需求規(guī)模及前景、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場集中度、重點企業(yè)/玩家，企業(yè)占有率、行業(yè)特征、驅(qū)動因素、市場前景預(yù)測，投資策略、主要壁壘構(gòu)成、相關(guān)風(fēng)險等內(nèi)容。同時北京普華有策信息咨詢有限公司還提供市場專項調(diào)研項目、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、項目可行性研究報告、專精特新小巨人認(rèn)證、市場占有率報告、十五五規(guī)劃、項目后評價報告、BP商業(yè)計劃書、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、藍(lán)白皮書、國家級制造業(yè)單項冠軍企業(yè)認(rèn)證、IPO募投可研、IPO工作底稿咨詢等服務(wù)。（PHPOLICY:GYF）